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IKD04N60RF分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IKD04N60RF
廠商型號

IKD04N60RF

參數(shù)屬性

IKD04N60RF 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 8A 75W TO252-3

功能描述

??C-D Fast?? RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency
IGBT 600V 8A 75W TO252-3

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

886.12 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-4 13:02:00

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IKD04N60RF規(guī)格書詳情

IKD04N60RF屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IKD04N60RF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IKD04N60RF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    TrenchStop?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,4A

  • 開關能量:

    110μJ

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    12ns/116ns

  • 測試條件:

    400V,4A,43 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應商器件封裝:

    PG-TO252-3

  • 描述:

    IGBT 600V 8A 75W TO252-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon Technologies
21+
PG-TO252-3
2500
100%進口原裝!長期供應!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)!
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INFINEON
23+
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50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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23+
標準封裝
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原廠授權(quán)一級代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保
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Infineon Technologies
24+
原裝
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Infineon/英飛凌
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INFINEON/英飛凌
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INFINEON/英飛凌
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