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IKN03N60RC2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IKN03N60RC2
廠商型號(hào)

IKN03N60RC2

參數(shù)屬性

IKN03N60RC2 封裝/外殼為TO-261-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3

功能描述

600 V Reverse Conducting Drive 2 offering cost effective IGBT with monolithically integrated diode
HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3

絲印標(biāo)識(shí)

K3DRC2

封裝外殼

PG-SOT223-3 / TO-261-3

文件大小

1.43475 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

17 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-3 17:03:00

IKN03N60RC2規(guī)格書詳情

IKN03N60RC2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IKN03N60RC2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Features

? VCE = 600 V

? IC = 3 A

? Very tight parameter distribution

? Operating range of 1 to 20 kHz

? Maximum junction temperature 150°C

? Short circuit capability of 3 μs

? Humidity robust design

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Complete product spectrum and PSpice Models: http://www.infineon.com/rc-d2

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IKN03N60RC2ATMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,3A

  • 開關(guān)能量:

    62μJ(開),44μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    7ns/77.5ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,3A,49 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-261-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-SOT223-3-1

  • 描述:

    HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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