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IKP01N120H2 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IKP01N120H2參考圖片

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原廠料號(hào)：IKP01N120H2品牌：infineon

原裝進(jìn)口現(xiàn)貨庫(kù)存專業(yè)工廠研究所配單供貨

IKP01N120H2是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商infineon/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝TO-220/TO-220-3的IKP01N120H2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    IKP01N120H2

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    14 頁(yè)

  • 文件大小：

    387.74 kb

  • 資料說明：

    HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IKP01N120H2XKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，1A

  • 開關(guān)能量：

    140μJ

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    13ns/370ns

  • 測(cè)試條件：

    800V，1A，241 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO220-3-1

  • 描述：

    IGBT 1200V 3.2A 28W TO220-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市萊克訊科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    劉安(公司現(xiàn)貨，原裝正品)

  • 手機(jī)：

    13434748719

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83263931

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興西路華勻大廈1棟5樓B08

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