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IKP03N120H2XKSA1 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

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原廠料號：IKP03N120H2XKSA1品牌：INFINEON/英飛凌

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IKP03N120H2XKSA1是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/英飛凌/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝500/TO-220-3的IKP03N120H2XKSA1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IKP03N120H2XKSA1

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說明：

    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 9.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IKP03N120H2XKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，3A

  • 開關(guān)能量：

    290μJ

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    9.2ns/281ns

  • 測試條件：

    800V，3A，82 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝：

    PG-TO220-3-1

  • 描述：

    IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市湘達電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱總

  • 手機：

    13266778686

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83202753

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)201棟東座4樓F02室

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