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IKP04N60T

Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IKP04N60T

Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IKP04N60T

IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IKP04N60T_09

Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IKP04N60T_16

IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IKP04N60TXKSA1

包裝：管件 封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 8A 42W TO220-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IKU04N60R

RC-DriveandRC-DriveFast

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IKU04N60R

??C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

M04N60

NChannelMOSFET

NChannelMOSFET ●RobustHighVoltageTermination ●AvalancheEnergySpecified ●Source-to-DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscreteFastRecoveryDiode

STANSON

Stanson Technology

MCPF04N60

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

MCU04N60

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

MHF04N60CT

SiliconN-ChannelPowerMOSFET

CITCChip Integration Technology Corporation

竹懋科技竹懋科技股份有限公司

MHU04N60

SiliconN-ChannelPowerMOSFET

CITCChip Integration Technology Corporation

竹懋科技竹懋科技股份有限公司

NDD04N60Z

N-ChannelPowerMOSFET1.8,600Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NDD04N60ZG

N-ChannelPowerMOSFET1.8,600Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NDD04N60ZG

PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

NDF04N60Z

PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

NDF04N60Z

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

NDF04N60Z

N-ChannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NDF04N60Z

N-ChannelPowerMOSFET1.8,600Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

詳細參數

  • 型號：

    IKP04N60T

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 LOW LOSS DuoPack 600V 4A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon(英飛凌)
23+
TO-220
1259
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務
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INFINEON
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INFINEON
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PG-TO-220-3-
8600
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TO-220
37526
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TO-220
6528
只做進口原裝正品現貨,假一賠十!
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只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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TO-220F
6430
原裝現貨/歡迎來電咨詢
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Infineon(英飛凌)
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PG-TO220-3
115000
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Infineon/英飛凌
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PG-TO220-3
6000
原裝現貨正品
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更多IKP04N60T供應商 更新時間2025-1-11 14:45:00

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