首頁(yè)>IKQ50N120CH3XKSA1>詳情

IKQ50N120CH3 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IKQ50N120CH3參考圖片

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：IKQ50N120CH3品牌：INFINEON

原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù)

IKQ50N120CH3是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝TO247/TO-247-3的IKQ50N120CH3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    IKQ50N120CH3

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    16 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    2098.87 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Low switching losses IGBT in Highspeed3 technology copacked with soft, fast recovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IKQ50N120CH3XKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.35V @ 15V，50A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    3mJ（開(kāi)），1.9mJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    34ns/297ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，50A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO247-3-46

  • 描述：

    IGBT 1200V 100A TO247-3-46

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市星宇佳科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    陳先生

  • 手機(jī)：

    15361821905

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82522195

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華富路1004號(hào)南光大廈510

相近型號(hào)