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IKW03N120H2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IKW03N120H2
廠商型號(hào)

IKW03N120H2

參數(shù)屬性

IKW03N120H2 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3

功能描述

HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

431.57 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-3 23:00:00

IKW03N120H2規(guī)格書(shū)詳情

IKW03N120H2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IKW03N120H2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

? Designed for:

- SMPS

- Lamp Ballast

- ZVS-Converter

? 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers:

- loss reduction in resonant circuits

- temperature stable behavior

- parallel switching capability

- tight parameter distribution

- Eoff optimized for IC =3A

? Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IKW03N120H2FKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,3A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    290μJ

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    9.2ns/281ns

  • 測(cè)試條件:

    800V,3A,82 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-TO247-3-1

  • 描述:

    IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
INFINEON/英飛凌
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NA/
10171
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
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