IKW08T120 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

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廠家型號(hào)：
IKW08T120
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
INFINEON/英飛凌
庫(kù)存數(shù)量：
12000
產(chǎn)品封裝：
N/A
生產(chǎn)批號(hào)：
23+
庫(kù)存類型：
優(yōu)勢(shì)庫(kù)存
更新時(shí)間：
2024-10-24 9:30:00

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原廠料號(hào)：IKW08T120品牌：Infineon(英飛凌)

一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力

IKW08T120是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineon(英飛凌)/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝N/A/TO-247-3的IKW08T120晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

芯片型號(hào)：
IKW08T120
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡(jiǎn)稱：
INFINEON【英飛凌】詳情
廠商全稱：
Infineon Technologies AG
中文名稱：
英飛凌科技股份公司
內(nèi)容頁(yè)數(shù)：
16 頁(yè)
文件大?。?/span>
372.55 kb
資料說(shuō)明：
Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop? and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號(hào)：
IKW08T120FKSA1
制造商：
Infineon Technologies
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
系列：
TrenchStop?
包裝：
管件
IGBT 類型：
NPT，溝槽型場(chǎng)截止
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，8A
開關(guān)能量：
1.37mJ
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
40ns/450ns
測(cè)試條件：
600V，8A，81 歐姆，15V
工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：
PG-TO247-3-1
描述：
IGBT 1200V 16A TO247-3

供應(yīng)商

企業(yè)：
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司
商鋪：
進(jìn)入商鋪
聯(lián)系人：
陳先生/周小姐
手機(jī)：
18923718265
詢價(jià)：
電話：
0755-82721010
傳真：
0755-28225816
地址：
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座、B座A座16層1611室/亞太地區(qū)XILINX、ALTERA、LATTICE、AD、TI、ST、infineon、NXP、Microchip一級(jí)代理商

IKW08T120 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IKW08T120

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供應(yīng)商

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