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IKW08T120 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IKW08T120參考圖片

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原廠料號(hào)：IKW08T120品牌：Infineon/英飛凌

原裝現(xiàn)貨正品

IKW08T120是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineon/英飛凌/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝PG-TO247-3/TO-247-3的IKW08T120晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    IKW08T120

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱(chēng)：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    16 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    372.55 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop? and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IKW08T120FKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    TrenchStop?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    NPT，溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，8A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    1.37mJ

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    40ns/450ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，8A，81 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO247-3-1

  • 描述：

    IGBT 1200V 16A TO247-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市杰順創(chuàng)科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    符小姐

  • 手機(jī)：

    13410384382

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話：

    0755-83993226

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道崗廈社區(qū)彩田路3069號(hào)星河世紀(jì)A棟1519R、深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟西中8樓8B16室

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