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首頁(yè)>IKW20N65ET7XKSA1>芯片詳情
IKW20N65ET7XKSA1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌
- 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào):IKW20N65ET7XKSA1品牌:Infineon
只做正品
IKW20N65ET7XKSA1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineon/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝TO-247-3的IKW20N65ET7XKSA1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
IKW20N65ET7XKSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
- 系列:
Automotive, AEC-Q101, TrenchStop?
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
1.65V @ 15V,20A
- 開(kāi)關(guān)能量:
360μJ(開(kāi)),360μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
16ns/210ns
- 測(cè)試條件:
400V,20A,12 歐姆,15V
- 工作溫度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
PG-TO247-3
- 描述:
IKW20N65ET7XKSA1
供應(yīng)商
- 企業(yè):
上海皇華信息科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
王小姐
- 手機(jī):
13917251561
- 詢價(jià):
- 電話:
021-34633375-8033
- 地址:
上海市閔行區(qū)宜山路2301弄九歌商務(wù)中心5號(hào)樓401室
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