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IKW25N120H3分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IKW25N120H3
廠商型號

IKW25N120H3

參數(shù)屬性

IKW25N120H3 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 50A 326W TO247-3

功能描述

Trench and Field-Stop IGBT

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

850.59 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-1 23:00:00

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IKW25N120H3規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.05V@IC=25A

·Very soft,fast recovery anti-parallel diode

·Low Switching Losses

APPLICATIONS

·Uninterrupted Power Supply

·Air Conditioning

·welding converters

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IKW25N120H3FKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    TrenchStop?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,25A

  • 開關(guān)能量:

    2.65mJ

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    27ns/277ns

  • 測試條件:

    600V,25A,23 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    PG-TO247-3-1

  • 描述:

    IGBT 1200V 50A 326W TO247-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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