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IKW25N120T2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IKW25N120T2
廠商型號(hào)

IKW25N120T2

參數(shù)屬性

IKW25N120T2 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3

功能描述

Trench gate Field-Stop IGBT

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

363.74 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-29 20:00:00

IKW25N120T2規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

· Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.2V@IC=25A

· High Current Capability

· High Input Impedance

APPLICATIONS

· Solar Converters

· Uninterrupted Power Supply

· UPS,PFC

· Welding Converters

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IKW25N120T2FKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    TrenchStop?

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,25A

  • 開關(guān)能量:

    2.9mJ

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    27ns/265ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,25A,16.4 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-TO247-3-1

  • 描述:

    IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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