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IKW25N120T2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IKW25N120T2
廠商型號

IKW25N120T2

參數(shù)屬性

IKW25N120T2 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3

功能描述

IGBT in 2nd generation TrenchStop with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode
IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3

絲印標識

K25T1202

封裝外殼

PG-TO-247-3 / TO-247-3

文件大小

464.33 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-14 11:49:00

IKW25N120T2規(guī)格書詳情

IKW25N120T2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IKW25N120T2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IKW25N120T2FKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    TrenchStop?

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,25A

  • 開關(guān)能量:

    2.9mJ

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    27ns/265ns

  • 測試條件:

    600V,25A,16.4 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-TO247-3-1

  • 描述:

    IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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