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IKW50N65F5分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
IKW50N65F5 |
參數(shù)屬性 | IKW50N65F5 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 |
功能描述 | 650V DuoPack IGBT and Diode High speed switching series fifth generation |
文件大小 |
2.42764 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
17 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-3 9:54:00 |
IKW50N65F5規(guī)格書詳情
IKW50N65F5屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IKW50N65F5晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
IKW50N65F5FKSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
TrenchStop?
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,50A
- 開關能量:
490μJ(開),160μJ(關)
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關)值:
21ns/175ns
- 測試條件:
400V,25A,12 歐姆,15V
- 工作溫度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應商器件封裝:
PG-TO247-3
- 描述:
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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