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首頁(yè)>IKY40N120CH3XKSA1>芯片詳情
IKY40N120CH3 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌
- 詳細(xì)信息
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原廠(chǎng)料號(hào):IKY40N120CH3品牌:Infineon
公司原裝現(xiàn)貨/支持實(shí)單
IKY40N120CH3是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineon/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝TO-247-4的IKY40N120CH3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
- 芯片型號(hào):
IKY40N120CH3
- 規(guī)格書(shū):
- 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):
INFINEON【英飛凌】詳情
- 廠(chǎng)商全稱(chēng):
Infineon Technologies AG
- 中文名稱(chēng):
英飛凌科技股份公司
- 內(nèi)容頁(yè)數(shù):
16 頁(yè)
- 文件大小:
2056.389 kb
- 資料說(shuō)明:
Low switching losses IGBT in Highspeed3 technology copacked with soft, fast recovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled diode
產(chǎn)品屬性
更多- 類(lèi)型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
IKY40N120CH3XKSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類(lèi)別:
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.35V @ 15V,40A
- 開(kāi)關(guān)能量:
2.18mJ(開(kāi)),1.3mJ(關(guān))
- 輸入類(lèi)型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
30ns/280ns
- 測(cè)試條件:
600V,40A,12 歐姆,15V
- 工作溫度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-4
- 供應(yīng)商器件封裝:
PG-TO247-4
- 描述:
IGBT 1200V 80A TO247-4
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市柏芯特電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
陳總
- 手機(jī):
13751041283
- 詢(xún)價(jià):
- 電話(huà):
13751041283
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)中航路18號(hào)新亞洲國(guó)利大廈733
相近型號(hào)
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- IKY50N120CH7XKSA1
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- IKW75T60IC
- IKZ75N65EL5
- IKW75T60A
- IKZ75N65EL5XKSA1
- IKW75T60
- IKZ75N65ES5
- IKW75N6TFKSA1
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- IKW75N65SS5
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