首頁(yè)>IKZ75N65EL5XKSA1>詳情

IKZ75N65EL5 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IKZ75N65EL5參考圖片

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：IKZ75N65EL5品牌：Infineon/英飛凌

原裝正品,假一賠十!

IKZ75N65EL5是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineon/英飛凌/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝PG-TO247-4/TO-247-4的IKZ75N65EL5晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    IKZ75N65EL5

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    16 頁(yè)

  • 文件大小：

    1861.63 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Best-in-Class tradeoff between conduction and switching losses

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IKZ75N65EL5XKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    TrenchStop? 5

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.35V @ 15V，75A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    1.57mJ（開(kāi)），3.2mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    120ns/275ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，75A，23 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-4

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO247-4

  • 描述：

    IGBT 650V 100A TO247-4

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市富利微電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    肖先生/朱小姐

  • 手機(jī)：

    15817200827

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23894711/15817200827

  • 傳真：

    0755-23894711

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)4501A室

相近型號(hào)