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ILD03N60中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

ILD03N60
廠商型號(hào)

ILD03N60

功能描述

LightMOS Power Transistor

文件大小

330.78 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-17 16:26:00

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ILD03N60規(guī)格書詳情

LightMOS Power Transistor

? New high voltage technology designed for ZVS-switching in lamp

ballasts

? IGBT with integrated reverse diode

? 4A current rating for reverse diode

? Up to 10 times lower gate capacitance than MOSFET

? Avalanche rated

? 150°C operating temperature

? FullPak isolates 2.5 kV AC (1 min.)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    ILD03N60

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

  • 制造商:

    Infineon Technologies AG

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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