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IMBG40R011M2H中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IMBG40R011M2H
廠商型號(hào)

IMBG40R011M2H

功能描述

CoolSiC? 400V CoolSiC? G2 MOSFET

文件大小

1.31107 Mbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-12 23:00:00

IMBG40R011M2H規(guī)格書詳情

Features

? Ideal for high frequency switching and synchronous rectification

? Commutation robust fast body diode with low Qfr

? Low RDS(on) dependency on temperature

? Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V

? Recommended gate driving voltage 0 V to 18 V

? .XT interconnection technology for best?in?class thermal performance

? 100 avalanche tested

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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