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IMBG65R022M1H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IMBG65R022M1H |
| 參數(shù)屬性 | IMBG65R022M1H 包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)；產(chǎn)品描述：SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- |
| 功能描述 | 650 V CoolSiC? M1 SiC Trench Power Device |
| 文件大小 |
1.5931 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
15 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-30 13:08:00 |
IMBG65R022M1H規(guī)格書(shū)詳情
IMBG65R022M1H屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IMBG65R022M1H晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開(kāi)關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
IMBG65R022M1HXTMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 包裝：
管件
- 描述：
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
22+ |
NA |
1010 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
24+ |
PG-TO263-7 |
9000 |
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
23+ |
PG-TO263-7 |
15500 |
英飛凌優(yōu)勢(shì)渠道全系列在售 |
詢價(jià) | ||
STMICROELECTRONICS |
24+ |
SMD |
200 |
C19-變壓器 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
TO263 |
9960 |
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
255 |
只做正品 |
詢價(jià) | ||||
Infineon Technologies |
30000 |
原裝現(xiàn)貨,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||||
INFINEON |
23+ |
PG-TO263-7 |
14253 |
原包裝原標(biāo)現(xiàn)貨,假一罰十, |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
2334+ |
3010 |
只做原裝正品,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | |||
INFINEON |
2423 |
con |
10 |
現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格https://www.jbchip.com/index |
詢價(jià) |
