IMBG65R048M1H 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) INFINEON/英飛凌

原廠料號(hào)：IMBG65R048M1H品牌：INFINEON

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IMBG65R048M1H是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝PG-TO263-7/的IMBG65R048M1H晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

• 芯片型號(hào)：

  IMBG65R048M1H

• 規(guī)格書：

  下載

• 企業(yè)簡稱：

  INFINEON【英飛凌】詳情

• 廠商全稱：

  Infineon Technologies AG

• 中文名稱：

  英飛凌科技股份公司

• 內(nèi)容頁數(shù)：

  15 頁

• 文件大?。?/span>

  1595.53 kb

• 資料說明：

  650 V CoolSiC? M1 SiC Trench Power Device