訂購(gòu)數(shù)量 | 價(jià)格 |
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1+ |
- 廠家型號(hào):
IMBG65R107M1HXTMA1
- 產(chǎn)品分類:
芯片
- 生產(chǎn)廠商:
- 庫(kù)存數(shù)量:
6000
- 產(chǎn)品封裝:
- 生產(chǎn)批號(hào):
23+
- 庫(kù)存類型:
- 更新時(shí)間:
2024-12-27 18:26:00
首頁(yè)>IMBG65R107M1HXTMA1>芯片詳情
訂購(gòu)數(shù)量 | 價(jià)格 |
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1+ |
芯片
6000
23+
2024-12-27 18:26:00
原廠料號(hào):IMBG65R107M1HXTMA1品牌:Infineon(英飛凌)
誠(chéng)信服務(wù),絕對(duì)原裝原盤
IMBG65R107M1HXTMA1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)。制造商Infineon(英飛凌)/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝的IMBG65R107M1HXTMA1晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開(kāi)關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。
描述
IMBG65R107M1HXTMA1
Infineon Technologies
管件
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
深圳市弘揚(yáng)芯城科技有限公司
可欣
13632706756
15811829776
深圳市華強(qiáng)北南光捷佳大廈2917