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IMW65R083M1H

650 V CoolSiC? M1 SiC Trench Power Device

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英飛凌英飛凌科技股份公司

IMBG65R083M1H

650VCoolSiC?M1SiCTrenchPowerDevice

InfineonInfineon Technologies AG

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MOSFET650VCoolSiCaM1SiCTrenchPowerDevice

Features ?Optimizedswitchingbehaviorathighercurrents ?CommutationrobustfastbodydiodewithlowQf ?Superiorgateoxidereliability ?Tj,max=175°Candexcellentthermalbehavior ?LowerRDS(on)andpulsecurrentdependencyontemperature ?Increasedavalanchecapability ?Compatib

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更多IMW65R083M1H供應(yīng)商 更新時間2024-11-6 10:04:00

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