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IMWH170R650M1

Marking：170M1650；Package：PG-TO247-3-STD-NN4.8；CoolSiC? 1700 V SiC Trench MOSFET

Features ?VDSS=1700VatTvj=25°C ?IDDC=7.5AatTC=25°C ?RDS(on)=650mΩatVGS=12V,Tvj=25°C ?Optimizedforfly-backtopologies ?12V/0Vgate-sourcevoltagecompatiblewithmostfly-backcontrollers ?Verylowswitchinglosses ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMBF170R650M1

CoolSiC??1700VSiCTrenchMOSFETSiliconCarbideMOSFET

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更多IMWH170R650M1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-24 15:00:00

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