IMZA65R027M1H 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) INFINEON/英飛凌

原廠(chǎng)料號(hào)：IMZA65R027M1H品牌：Infineon/英飛凌

買(mǎi)原裝認(rèn)準(zhǔn)中賽美

IMZA65R027M1H是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)。制造商Infineon/英飛凌/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝PG-TO247-4-3/的IMZA65R027M1H晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開(kāi)關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類(lèi)晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

• 芯片型號(hào)：

  IMZA65R027M1H

• 規(guī)格書(shū)：

  下載

• 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

  INFINEON【英飛凌】詳情

• 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

  Infineon Technologies AG

• 中文名稱(chēng)：

  英飛凌科技股份公司

• 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

  15 頁(yè)

• 文件大?。?/span>

  1484.66 kb

• 資料說(shuō)明：

  650 V CoolSiC? M1 SiC Trench Power Device