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INA122PA	文件：223.48 Kbytes Page：9 Pages	Single Supply, MicroPower INSTRUMENTATION AMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA122PA	文件：750.58 Kbytes Page：14 Pages	Single Supply, MicroPower INSTRUMENTATION AMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA122PAG4	文件：750.58 Kbytes Page：14 Pages	Single Supply, MicroPower INSTRUMENTATION AMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA122U	文件：223.48 Kbytes Page：9 Pages	SingleSupply,MicroPowerINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA122U	文件：750.58 Kbytes Page：14 Pages	SingleSupply,MicroPowerINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA122UA	文件：223.48 Kbytes Page：9 Pages	SingleSupply,MicroPowerINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA122UA	文件：750.58 Kbytes Page：14 Pages	SingleSupply,MicroPowerINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
IPM-C122	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪訊	JDSU
IPM-L122	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪訊	JDSU
IRF122	文件：166.67 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRF122	文件：213.26 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowRDs	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導體	Samsung
IRF122	文件：68.22 Kbytes Page：7 Pages	8.0Aand9.2A,80Vand100V,0.27and0.36Ohm,N-Channel,PowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF122	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司	NJSEMI
IRF122	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	IRF120-123/IRF520-523MTP10N08/10N10N-ChannelPowerMOSFETs Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司	NJSEMI
IRF122	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司	NJSEMI
IRF122	文件：48.36 Kbytes Page：2 Pages	NanosecondSwitchingSpeeds	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRF122	文件：338.75 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMosfets,	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRFD122	文件：360.08 Kbytes Page：6 Pages	1.3Aand1.1A,80Vand100V,0.30and0.40Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregul	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
IRFF122	文件：165.85 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement-ModePowerMOSField-EffectTransistors 5.0Aand6.0A,60V-100VrDS(0n)=0.30Ωand0.40Ω Features: ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance ■Majoritycarrierdevice	GESS GE Solid State	GESS
ISCD122	文件：251.33 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

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詳細參數(shù)

型號：
INA122PA
功能描述：
儀表放大器 Single Supply MicroPower
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
輸入補償電壓：
150 V
最大輸入電阻：
10 kOhms
共模抑制比（最小值）：
88 dB
工作電源電壓：
2.7 V to 36 V
電源電流：
200 uA
最大工作溫度：
+ 125 C
最小工作溫度：
- 40 C
封裝/箱體：
MSOP-8
封裝：
Bulk

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市坤融電子科技有限公司	INA122PA		24+	TQFP	6000	美國德州儀器TEXASINSTRUMENTS原廠代理輝華拓展內地現(xiàn)	詢價
深圳市得捷芯城科技有限公司	INA122PA	TI(德州儀器)	23+	標準封裝	9959	原廠直銷,大量現(xiàn)貨庫存,交期快。價格優(yōu),支持賬期	詢價
深圳美順電子科技有限公司	INA122PA	TI	15+	DIP-8	2500	原廠直銷	詢價
深圳市興燦科技有限公司	INA122PA	BB	24+	N/P	16500	代理授權直銷,原裝現(xiàn)貨,假一罰十,長期穩(wěn)定供應	詢價
深圳市宇創(chuàng)芯科技有限公司	INA122PA	TI/德州儀器	22+	DIP-8	9600	原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應,支持實單!	詢價
深圳市恒凱威科技開發(fā)有限公司	INA122PA	TI/德州儀器	21+	DIP-8	20000	只做原裝,質量保證	詢價
深圳市吉銀科技有限公司	INA122PA	BB	19+/20+	DIP-8	5585		詢價
深圳市弘為電子有限公司	INA122PA	TI(德州儀器)	22+	DIP-8	99000	只做原裝	詢價
芯燦微（深圳）科技有限公司	INA122PA	TI/德州儀器	22+	PDIP-8	500000	原裝現(xiàn)貨支持實單價優(yōu)/含稅	詢價
博速半導體（深圳）有限公司	INA122PA	TI/德州儀器	20+	PDIP-8	6000	全新原裝	詢價

更多INA122PA供應商更新時間2024-12-23 11:18:00

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