產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
P 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
150 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
840mA（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
1.77 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
10 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
250 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本產(chǎn)品編號
SQ2325
