零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
70A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
4.3 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
29.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1795 pF @ 15 V
FET 功能
肖特基二極管（體）
功率耗散（最大值）
65W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
LFPAK33
封裝/外殼
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線）
基本產(chǎn)品編號
PSMN4R2
