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被臺積電拒絕代工,三星芯片制造突圍的關鍵在先進封裝?

2025-1-20 9:22:00
  • 被臺積電拒絕代工,三星芯片制造突圍的關鍵在先進封裝?

被臺積電拒絕代工,三星芯片制造突圍的關鍵在先進封裝?

臺積電拒絕為三星Exynos處理器提供代工服務的決定,再次顯現(xiàn)出全球半導體產業(yè)的競爭與技術護城河的重要性。據(jù)報道,臺積電擔憂在為三星代工最先進的芯片工藝時,可能會導致技術泄露,尤其是在提升制程良率方面的關鍵技術。而良率問題正是三星目前在尖端制程領域最大的短板。

臺積電的強勢地位

臺積電在先進工藝方面持續(xù)保持領先地位,這使其在行業(yè)內擁有明顯的優(yōu)勢。目前,臺積電的2nm制程研發(fā)進展順利,良率已達60%。預計到2025年,N2平臺將在性能和能效上實現(xiàn)重大突破,同時投產。相比之下,三星在3nm GAA第一代制程時曾經(jīng)將良率目標定為70%,但實際情況卻遠低于預期,目前第二代改良版良率僅為20%。

臺積電有充足的訂單來自蘋果、AMD、高通等客戶,即使放棄三星Exynos訂單,也不會對其業(yè)務造成明顯影響。這種技術與市場的雙重掌控力使臺積電能夠保持溢價,并以高效的交付優(yōu)勢維系客戶粘性。

三星的應對策略

盡管在先進制程工藝上處境艱難,三星并未停頓,而是通過兩條路徑來突破瓶頸:

改進制程工藝:三星計劃研發(fā)更具競爭力的2nm技術,目標是在2027年推出整合最新工藝的Exynos處理器。但如果良率問題無法得到根本解決,這一計劃可能會面臨重大挑戰(zhàn)。

聚焦先進封裝技術:晶圓代工無法單靠制程脫穎而出,三星正在重新評估封裝領域的供應鏈,并通過“一對多”的聯(lián)盟模式推動新技術的應用。例如,三星的I-Cube 2.5D封裝與X-Cube 3D IC堆疊技術,可以顯著提升高性能芯片的功耗與設計靈活性。此外,三星還積極探索玻璃基板材料,計劃于2026年大規(guī)模量產,以期借助材料優(yōu)勢彎道超車。

全球晶圓代工格局展望

臺積電和三星在先進制程方面的差距,短時間內似乎難以拉近。臺積電的領先不僅得益于技術投入,還在于產業(yè)生態(tài)的完善;而三星盡管在封裝領域持續(xù)加碼,但需要克服制程良率與設備研發(fā)進程的雙重挑戰(zhàn)。此外,英特爾在努力追趕制程技術的同時,也在逐步涉足代工市場,但市場接受度仍有待觀察。

總的來看,全球晶圓代工競爭格局仍將以臺積電為主導,三星則在先進封裝領域謀求突破。未來,技術創(chuàng)新與工藝良率的提升仍是競爭的關鍵,尤其在3nm與2nm工藝的競爭中,任何一家企業(yè)都無法掉以輕心。