車企碳化硅IGBT模組布局
碳化硅IGBT,擁抱SiC模組正向開發(fā)趨勢碳化硅模組封裝技術路線爭議不斷。IGBT時代,英飛凌憑標準化工藝橫掃市場。而今,SiC應用加速,功率模塊客制化需求激增。車企為求極致性能與成本控制,紛紛自研或定制功率模組。蔚來、小鵬、理想、華為、小米及上汽、一汽等已啟動定制開發(fā)。特斯拉率先棄用HPD,采用單管集成方案量產(chǎn),車企定制模塊成主流,掌握產(chǎn)品定義話語權。 HPDrive為當前汽車主驅(qū)市場主流封裝,但其三相全橋結(jié)構(gòu)存在回路長、電感高、開關損耗大、通流受限等問題,導致碳化硅用量多、成本高、性能不佳。因此,開