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ISG2127	文件：344.79 Kbytes Page：3 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.2V@IC=60A ·ShortCircuitCapability ·LowPowerLoss APPLICATIONS ·PowerInverters ·SMPS ·BatteryChargers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IX2127	文件：1.37021 Mbytes Page：11 Pages	High-VoltagePowerMOSFET&IGBTDriver Description TheIX2127isahigh-voltage,high-speedpowerMOSFETandIGBTdriver.High-voltagelevel-shiftcircuitryenablesthisdevicetooperateupto600V.Clare’sproprietarycommon-modedesigntechniquesprovidestableoperationinhighdV/dtnoiseenvironments. Features ?Floati	Clare Clare, Inc.	Clare
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IX2127G	文件：1.64069 Mbytes Page：12 Pages	High-VoltagePowerMOSFET&IGBTDriver	Clare Clare, Inc.	Clare

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