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IPA60R180C7_1508

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Features ?Suitableforhardandsoftswitching(PFCandhighperformanceLLC) ?IncreasedMOSFETdv/dtruggednessto120V/ns ?IncreasedefficiencyduetobestinclassFOMRDS(on)*EossandRDS(on)*Qg ?BestinclassRDS(on)/package ?QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20 andJESD22)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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