IPA80R1K4P7中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	IPA80R1K4P7
功能描述	800V CoolMOS? P7 Power Transistor
絲印標識	80R1K4P7
封裝外殼	PG-TO220FullPAK
文件大小	971.82 Kbytes
頁面數(shù)量	13 頁
生產(chǎn)廠商	Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱	Infineon【英飛凌】
中文名稱	英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間	2025-5-26 11:10:00
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Features

?Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss

?Best-in-classDPAKRDS(on)

?Best-in-classV(GS)thof3VandsmallestV(GS)thvariationof±0.5V

?IntegratedZenerDiodeESDprotection

?Best-in-classCoolMOS?qualityandreliability;qualifiedforindustrial

gradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20andJESD22)

?Fullyoptimizedportfolio

Benefits

?Best-in-classperformance

?Enablinghigherpowerdensitydesigns,BOMsavingsandlower

assemblycosts

?Easytodriveandtoparallel

?BetterproductionyieldbyreducingESDrelatedfailures

?Lessproductionissuesandreducedfieldreturns

?Easytoselectrightpartsforfinetuningofdesigns

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