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IPB020NE7N3G

OptiMOSTM3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PB020NE7N3G

3Power-Transistor

Features Optimizedtechnologyforsynchronousrectification IdealforhighfrequencyswitchingandDC/DCconverters ExcellentgatechargeXRponProduct(FOM) Verylowon-resistanceRosen) N-channel,normallevel 100%avalanchetested Pb-freeplating;RoHScompliant Qualified

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數

  • 型號：

    IPB020NE7N3 G

  • 功能描述：

    MOSFET N-channel POWER MOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

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更多IPB020NE7N3 G供應商 更新時間2025-3-11 8:57:00

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