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IPB022N12NM6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPB022N12NM6
廠商型號

IPB022N12NM6

功能描述

MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V

絲印標識

022N12N6

封裝外殼

PG-TO263-3

文件大小

1.14854 Mbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-20 22:59:00

IPB022N12NM6規(guī)格書詳情

Features

? N-channel, normal level

? Very low on-resistance RDS(on)

? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)

? Very low reverse recovery charge (Qrr)

? High avalanche energy rating

? 175°C operating temperature

? Optimized for high frequency switching and synchronous rectification

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

? MSL 1 classified according to J-STD-020

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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