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IPB026N10NF2S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

IPB026N10NF2S
廠商型號(hào)

IPB026N10NF2S

參數(shù)屬性

IPB026N10NF2S 包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRENCH \u003e=100V

功能描述

StrongIRFETTM 2 Power-Transistor
TRENCH \u003e=100V

絲印標(biāo)識(shí)

026N10NS

封裝外殼

PG-TO263-3

文件大小

960.61 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-20 17:38:00

IPB026N10NF2S規(guī)格書詳情

IPB026N10NF2S屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IPB026N10NF2S晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

Features

? Optimized for a wide range of applications

? N-Channel, normal level

? 100 avalanche tested

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IPB026N10NF2SATMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 描述:

    TRENCH \u003e=100V

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
INFINEO
18+
SOT-263
85600
保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票
詢價(jià)
INFINEON
23+
TO263
999999
原裝正品現(xiàn)貨量大可訂貨
詢價(jià)
Infineon/英飛凌
23+
20000
全新、原裝、現(xiàn)貨
詢價(jià)
INFINEO
2016+
TO263
6528
只做進(jìn)口原裝現(xiàn)貨!假一賠十!
詢價(jià)
Infineon/英飛凌
21+
PG-TO263-3
6000
原裝現(xiàn)貨正品
詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
2023+
TO-263
1000
專注全新正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨供應(yīng)
詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
2223+
TO-263
26800
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)
詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
詢價(jià)
Infineon/英飛凌
22+
TO-263
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
詢價(jià)
Infineon
24+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
詢價(jià)