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IPB042N10N3 G E8187

IPB042N10N3 G E8187

IPB042N10N3 G E8187

詳細參數

  • 型號：

    IPB042N10N3 G E8187

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列：

    OptiMOS™

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFENION
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原裝正品現貨
10000
TO-263
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TO-263
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一級代理商現貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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更多IPB042N10N3 G E8187供應商 更新時間2024-11-16 13:30:00

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