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IPB042N10N3G中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IPB042N10N3G
廠商型號(hào)

IPB042N10N3G

功能描述

OptiMOS?? Power-Transistor

文件大小

350.45 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-22 13:10:00

IPB042N10N3G規(guī)格書(shū)詳情

Features

? N-channel, normal level

? Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

? Very low on-resistance R DS(on)

? 175 °C operating temperature

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Qualified according to JEDEC1) for target application

? Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IPB042N10N3G

  • 制造商:

    Infineon Technologies AG

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
INFINEON/英飛凌
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十五年行業(yè)誠(chéng)信經(jīng)營(yíng),專注全新正品
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INFINEON
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