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IPB050N10NF2S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

IPB050N10NF2S
廠商型號

IPB050N10NF2S

參數(shù)屬性

IPB050N10NF2S 包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRENCH \u003e=100V

功能描述

StrongIRFETTM 2 Power-Transistor
TRENCH \u003e=100V

絲印標(biāo)識

050N10NS

封裝外殼

PG-TO263-3

文件大小

972.91 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-9 17:27:00

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IPB050N10NF2S規(guī)格書詳情

IPB050N10NF2S屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IPB050N10NF2S晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

Features

? Optimized for a wide range of applications

? N-Channel, normal level

? 100 avalanche tested

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IPB050N10NF2SATMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    管件

  • 描述:

    TRENCH \u003e=100V

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
INFINEON
23+
PG-TO263-3
8600
全新原裝現(xiàn)貨
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Infineon(英飛凌)
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20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
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英飛凌優(yōu)勢渠道全系列在售
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