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IPB065N15N3

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage-:VDSS=150V(Min) ·FastSwitchingSpeed ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·SwitchModePowerSupply(SMPS) ·UninterruptiblePowerSupply(UPS)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IPB065N15N3G

OptiMOS3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB065N15N3-G

N-Channel, normal level

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB065N15N3GATMA1

N-Channel, normal level

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    IPB065N15N3

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON/英飛凌
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16年電子元件現(xiàn)貨供應商 終端BOM表可配單提供樣品
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更多IPB065N15N3供應商 更新時間2024-11-16 16:36:00