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IPB09N03LA中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IPB09N03LA
廠商型號(hào)

IPB09N03LA

功能描述

OptiMOS 2 Power-Transistor

絲印標(biāo)識(shí)

09N03LA

封裝外殼

P-TO263-3-2

文件大小

347.27 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-26 14:05:00

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IPB09N03LA規(guī)格書詳情

Type : IPB09N03LAG

Package : PG-TO263-3-2

Marking : 09N03LA

? Ideal for high-frequency dc/dc converters

? Qualified according to JEDEC for target applications

? N-channel - Logic level

? Excellent gate charge x RDS(on)product (FOM)

? Very low on-resistance RDS(on)

? Superior thermal resistance

? 175 °C operating temperature

? dv/dtrated

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IPB09N03LA

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    OptiMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
INFINEON/英飛凌
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