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IPB100N10S3

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.8mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IPB100N10S3-05

OptiMOS-T Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IXFN100N10S3

HiPerFETPowerMOSFETswithSchottkyDiodes

HiPerFET?PowerMOSFETswithSchottkyDiodes Parallel,Buck&BoostConfigurationsforSMPS,PFC&MotorControlCircuits

IXYS

IXYS Corporation

詳細參數

  • 型號：

    IPB100N10S3

  • 功能描述：

    MOSFET OptiMOS -T PWR TRANS 100V 100A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IPB100N10S3供應商 更新時間2025-1-31 15:00:00

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