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IPB107N20N3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPB107N20N3G

OptiMOSTM3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB107N20N3G

OptiMOS3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB107N20N3G

OptiMOSTM3Power-TransistorFeaturesExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM)

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplication ?Halogen-freeaccordingtoIEC6124

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多IPB107N20N3=FS1供應(yīng)商 更新時間2025-1-24 14:57:00

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