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IPB120N04S3-02中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPB120N04S3-02
廠商型號

IPB120N04S3-02

功能描述

OptiMOS-T Power-Transistor

絲印標(biāo)識

3PN0402

封裝外殼

PG-TO263-3-2

文件大小

197.09 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-25 22:30:00

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IPB120N04S3-02規(guī)格書詳情

Features

? N-channel - Enhancement mode

? Automotive AEC Q101 qualified

? MSL1 up to 260°C peak reflow

? 175°C operating temperature

? Green package (RoHS compliant)

? Ultra low Rds(on)

? 100 Avalanche tested

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IPB120N04S3-02

  • 功能描述:

    MOSFET OPTIMOS-T POWER-TRAN 40V 120A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEO
2020+
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80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
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全新原裝優(yōu)勢
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TO-263
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一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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INFINEON
24+
PG-TO263-3D2-PAK(T
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