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IPB19DP10NM中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IPB19DP10NM
廠(chǎng)商型號(hào)

IPB19DP10NM

功能描述

OptiMOS Power-Transistor,-100V

絲印標(biāo)識(shí)

19DP10NM

封裝外殼

PG-TO263-3

文件大小

1.7856 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Infineon英飛凌

中文名稱(chēng)

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠(chǎng)下載

更新時(shí)間

2025-1-21 23:00:00

IPB19DP10NM規(guī)格書(shū)詳情

Features

*p-channel

*100 avalanche tested

*Nomal level

*Enhancement mode

*Pb-free lead plating; RoHS compliant

*Halogen-free according to IEC61249-2-21

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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