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IPB19DP10NM中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPB19DP10NM
廠商型號

IPB19DP10NM

功能描述

OptiMOS Power-Transistor,-100V

絲印標識

19DP10NM

封裝外殼

PG-TO263-3

文件大小

1.7856 Mbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-27 19:26:00

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IPB19DP10NM規(guī)格書詳情

Features

*p-channel

*100 avalanche tested

*Nomal level

*Enhancement mode

*Pb-free lead plating; RoHS compliant

*Halogen-free according to IEC61249-2-21

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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