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IPB200N25N3

OptiMOS3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB200N25N3G

OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 ?Id

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB200N25N3G

OptiMOSTM3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

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IPB200N25N3G

OptiMOS3 Power-Transistor

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IPB200N25N3-G

OptiMOS3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

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IPB200N25N3G_10

OptiMOS3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI200N25N3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPI200N25N3

OptiMOS3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI200N25N3G

OptiMOS3Power-Transistor

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IPI200N25N3G

OptiMOSTM3Power-Transistor

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    IPB200N25N3

  • 功能描述：

    MOSFET N-channel POWER MOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon(英飛凌)
23+
TO-263
1524
原廠直供,支持賬期,免費供樣,技術(shù)支持
 詢價
原裝
24+
標(biāo)準(zhǔn)
44198
熱賣原裝進口
 詢價
Infineon(英飛凌)
23+
N/A
12000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
Infineon(英飛凌)
23+
TO-263
12316
正規(guī)渠道,免費送樣。支持賬期,BOM一站式配齊
 詢價
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
 詢價
INFINEON
21+
TO-263
8230
詢價
INFINEON/英飛凌
23+
TO263-3
10000
公司只做原裝正品
 詢價
Infineon/英飛凌
22+
TO263-3
6000
十年配單,只做原裝
 詢價
Infineon/英飛凌
23+
TO263-3
6000
原裝正品，支持實單
 詢價
INFINEON英飛凌
22+
TO-263
10000
詢價
更多IPB200N25N3供應(yīng)商 更新時間2025-2-13 15:19:00

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