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IPB330P10NM

Marking:330P10NM;Package:PG-TO263-3;OpriMOS power-Transistor,-100V

Fratures *P-channel *100avalanchetested *Normallevel *Enhancementmode *Pb-freeleadplating;RoHscompliant *Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

ET330P10-Z

StandardSizeToggleSwitch

COPALCopal Electronics

尼得科科智博電子尼得科科智博電子(上海)有限公司

IPP330P10NM

P-ChannelMOSFET

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-62A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=33mΩ(Max)@VGS=-10V APPLICATIONS ·SwitchModePowerSupply(SMPS) ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·PowerFactorCorrection(PFC)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPP330P10NM

OptiMOSPower-Transistor,-100V

Features *P-channel *100avalanchetested *Normallevel *Enhancementmode *Pb-freeleadplating;RoHScompliant *Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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交期準(zhǔn)時(shí)服務(wù)周到
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更多IPB330P10NM供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-23 9:00:00