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IPB330P10NM

Marking：330P10NM；Package：PG-TO263-3；OpriMOS power-Transistor,-100V

Fratures *P-channel *100avalanchetested *Normallevel *Enhancementmode *Pb-freeleadplating;RoHscompliant *Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

ET330P10-Z

StandardSizeToggleSwitch

COPALCopal Electronics

尼得科科智博電子尼得科科智博電子(上海)有限公司

IPP330P10NM

P-ChannelMOSFET

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-62A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=33mΩ(Max)@VGS=-10V APPLICATIONS ·SwitchModePowerSupply(SMPS) ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·PowerFactorCorrection(PFC)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IPP330P10NM

OptiMOSPower-Transistor,-100V

Features *P-channel *100avalanchetested *Normallevel *Enhancementmode *Pb-freeleadplating;RoHScompliant *Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
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更多IPB330P10NM供應商 更新時間2025-5-10 16:25:00

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