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IPB80N03S4L03

INFINEON
NA

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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IPB80N03S4L03ATMA1

Infineon
原廠原包裝

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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Infineon Technologies
PG-TO263-3-2

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

相關(guān)企業(yè):中天科工半導(dǎo)體(深圳)有限公司

IPB80N03S4L03ATMA1

INF
TO-263

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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IPB80N03S4L03ATMA1

INF
TO-263

IRI

Information Resources, Inc. IRI

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    IPB80N03S4L03

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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更多IPB80N03S4L03供應(yīng)商 更新時間2024-11-16 10:39:00