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IPC26N12NR中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IPC26N12NR
廠商型號(hào)

IPC26N12NR

功能描述

OptiMOSTM3 Power MOS Transistor Chip

文件大小

118.79 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-20 22:04:00

IPC26N12NR規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

? N-channel enhancement mode

? For additional characteristic and max ratings refer to the datasheet of IPP048N12N3 G 1)

? AQL 0.65 for visual inspection according to failure catalogue

? Electrostatic Discharge Sensitive Device according to MIL-STD 883C

? Die bond: soldered or glued

? Backside metallization: NiV system

? Frontside metallization: AlSi system

? Passivation: nitride (only on edge structure)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon Technologies
22+
Die
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價(jià)
Infineon
23+
NA
15500
英飛凌優(yōu)勢(shì)渠道全系列在售
詢價(jià)
MW
24+
原廠封裝
5000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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24+
SMD
3600
MINI專營(yíng)品牌全新原裝正品假一賠十
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7000
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