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IIPD082N10N3

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPD082N10N3

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPD082N10N3G

N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET

Features ?VDS=100V,ID=78A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

IPD082N10N3G

100VN-ChannelMOSFET

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification ?VDS=100V ?ID(atVGS=10V)=80A ?RDS(ON)(atVGS=10V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

IPD082N10N3G

N-channel,normallevel

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD082N10N3G

OptiMOS??Power-TransistorFeaturesExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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TO-252
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原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
更多IPD082N10N3G(UMW)供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-10 11:06:00

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