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IPD088N06N3_INFINEON/英飛凌_MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V中福國(guó)際2部

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  • 廠(chǎng)家型號(hào)：

    IPD088N06N3

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商：

    Infineon(英飛凌)

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    7000

  • 產(chǎn)品封裝：

    N/A

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-3-3 10:34:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠(chǎng)料號(hào)：IPD088N06N3品牌：Infineon(英飛凌)

原廠(chǎng)原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)終端BOM表可配單提供樣品

  • 芯片型號(hào)：

    IPD088N06N3

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    ISC【無(wú)錫固電】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 中文名稱(chēng)：

    無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    2 頁(yè)

  • 文件大小：

    336.51 kb

  • 資料說(shuō)明：

    N-Channel MOSFET Transistor

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    IPD088N06N3

  • 功能描述：

    MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市中福國(guó)際管理有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張先生

  • 手機(jī)：

    13266709901

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-82571134

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福虹路世貿(mào)廣場(chǎng)B座22F

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